بررسی نوار گاف کریستال های فوتونی سه لایه ای متشکل از مواد با ضریب شکست منفی

thesis
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایه
  • author زینب زارع
  • adviser عبدالرسول قرائتی جهرمی
  • Number of pages: First 15 pages
  • publication year 1390
abstract

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامیده می شود، در دو جهت دیگر ساختار یکنواخت است. مواد چپگرد نیز ساختارهای مصنوعی با گذردهی الکتریکی ? و تراوایی مغناطیسی µ هم زمان منفی می باشند. در این مواد جهت بردار پویین تینگ در خلاف جهت بردار موج است، بنابراین بردار موج و ضریب شکست بایستی منفی باشند و ، و تشکیل یک دستگاه سه گانه چپگرد می دهند. در این پایان نامه هدف بررسی انعکاس حاصل از بلورهای فوتونی می باشد که برخی لایه های آن از مواد چپگرد تشکیل شده است. بررسی انعکاس بلورهای فوتونی سه لایه ای شامل مواد چپگرد هدف اصلی پایان نامه است. در ابتدا رابطه پاشندگی را برای این ساختار محاسبه کرده و سپس تغییرات پهنای نوار گاف را در ساختارهای مختلف با تغییر ضریب شکست و یا ضخامت لایه ها بررسی می کنیم. در نهایت افزایش انعکاس تمام جهتی را برای بلور فوتونی سه لایه ای با وارد کردن ماده چپگرد به ساختار بررسی و رابطه پاشندگی را برای این ساختار سه لایه ای رسم خواهیم کرد. نشان خواهیم داد که ورود ماده چپگرد به ساختار بلور فوتونی سه لایه ای سبب افزایش پهنای نوار گاف نسبت به ساختار معمولی شده و این مزیتی نسبت به بلور فوتونی سه لایه ای با ضرایب شکست مثبت محسوب می شود.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بررسی نوار گاف کریستال های فوتونی سع لایه ای با نقص

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه، نوار گاف فوتونی نامیده می شود. با وارد کردن لایه ای با ضریب شکست یا ضخامت متفاوت در یک بلور فوتونی می توان مدهای عبوری در نوار گاف مشاهده کرد. هدف اصلی ...

15 صفحه اول

تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

full text

تأثیر گاف نوار فوتونی بر انتشار پالس بازتابی از بره آلاییده شده توسط اتم‌های دو ترازی و سه ترازی

  In this paper the effect of photonic band gap on the group velocity of reflected pulse from a dielectric slab doped with two-level or three-level atoms has been investigated. It is assumed that the slab is sandwiched between a uniform medium (like vacuum) and a one-dimensional photonic crystal. It is shown that the reflected pulse from the slab doped with two-level (three-level) atoms will be...

full text

محاسبه مد نقص در موجبرهای بلور فوتونی دو بعدی متشکل از سه ضریب شکست متفاوت

در این پایان نامه ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی از استوانه های دی الکتریک با سطح مقطع های دایره ای، بیضی و لوزی با استفاده از روش بسط موج تخت مورد مطالعه قرار داده ایم. اولین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی الکتریک از جنس گالیم آرسناید با سطح مقطع دایره ای است که در دو مورد زمینه از جنس هوا و کربن قرار گرفته است. دومین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی...

15 صفحه اول

تأثیر گاف نوار فوتونی بر انتشار پالس بازتابی از بره آلاییده شده توسط اتم های دو ترازی و سه ترازی

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

full text

بررسی گاف کامل فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی پلاسمایی

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

full text

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023